ناموجود
تضمین اصالت کالا
ارسال سریع
بازگشت وجه
مشاوره تلفنی
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک و لرزش معادل 1500G
پشتیبانی از فناوری های نظارتی داده های حافظه TRIM و SMART
حافظه فلش از نوع V-NAND TLC، ساخته شده در فرم فاکتور M.2 2280
میزان سرعت خواندن تصادفی برابر با 850K IOPS و نوشتن معادل 1350K IOPS
میزان سرعت خواندن ترتیبی برابر با 7150 مگابایت بر ثانیه و نوشتن معادل 6300 مگابایت بر ثانیه
میانگین زمان بین خطاها (MTBF) 1.5 میلیون ساعت و حداکثر حجم قابل نوشتاری (TBW) 600 ترابایت
دارای ظرفیت 1 ترابایت و رابط اتصال PCIe 4.0 x4، ساخته شده در فرم فاکتور M.2 با پشتیبانی از استاندارد NVMe
مشخصات حافظه SSD سامسونگ Samsung 990 EVO PLUS 1TB M.2
| نوع محصول | حافظه اس اس دی M.2 |
|---|---|
| ابعاد | 2.38*22.15*80.15 میلی متر |
| وزن | 9 گرم |
| فرم فاکتور | M.2 |
| نوع رابط | PCIe 4.0 x4 |
| سازگار با سیستم عامل های | Windows/ MacOS |
| ظرفیت | یک ترابایت - 1TB |
| هیت سینک | ندارد |
| پشتیبانی از NVMe | دارد |
| نوع فلش | V-NAND TLC |
| مقاوم در برابر شوک | 1500g |
| سرعت خواندن اطلاعات | 7150 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت نوشتن اطلاعات | 6300 مگابایت بر ثانیه |
| میانگین زمان بین خطاها (MTBF) | 1.5 میلیون ساعت |
| سرعت خواندن تصادفی IOPS | 850K IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی IOPS | 1350K IOPS |
| حجم قابل نوشتن (TBW) | 600 ترابایت |
| پشتیبانی از TRIM | دارد |
| سرعت خواندن تصادفی | 850K IOPS |
هنوز هیچ کامنتی ثبت نشده است
اولین نفری باشید که نظر خود را بیان میکند!